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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
87
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
26
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2740
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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