RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
87
96
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
4.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6.8
3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
96
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
6.8
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
992
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link