RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
87
96
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
4.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6.8
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
96
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
6.8
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
4.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
992
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link