RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
53
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
31
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3318
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link