RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
53
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3318
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link