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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
53
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
30
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2496
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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