RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
53
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
32
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2395
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link