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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
11.3
写入速度,GB/s
1,590.1
9.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2395
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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