RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
53
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
27
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3692
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link