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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
27
读取速度,GB/s
3,726.4
17.4
写入速度,GB/s
1,590.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3692
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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