RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
53
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
33
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2910
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-PB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link