RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
78
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
78
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1584
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link