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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
78
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
78
读取速度,GB/s
3,726.4
13.1
写入速度,GB/s
1,590.1
6.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1584
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
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