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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
53
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
29
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2284
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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