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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 13.2
    Valor médio nos testes
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Razões a considerar
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 53
    Por volta de -83% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.9 left arrow 1,590.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    53 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,726.4 left arrow 13.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,590.1 left arrow 8.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    522 left arrow 2284

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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Memória RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Memória RAM
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Memória RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Memória RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Memória RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Memória RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Memória RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Memória RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Memória RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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