RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
53
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
34
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2789
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link