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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2789
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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