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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Confronto
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
34
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
23
Velocità di lettura, GB/s
13.1
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2393
3099
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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