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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
比较
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
总分
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
总分
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
13.1
17.6
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2393
3099
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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