RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
96
Intorno 74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
4.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
96
Velocità di lettura, GB/s
12.5
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
4.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
1062
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link