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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
12.5
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3007
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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