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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
12.5
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2516
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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