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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3467
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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