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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
12.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2609
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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