RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
96
Intorno -357% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
21
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3512
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link