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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
65
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.7
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.2
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
39
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
8.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
1842
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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