RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1842
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link