RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
65
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.7
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1842
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link