RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 65
    周辺 -67% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.2 left arrow 2,784.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 8.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 6.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 1842

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
メモリRAM