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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
96
Intorno -167% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
36
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
1891
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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