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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
総合得点
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
96
周辺 -167% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.3
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.0
1,336.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
96
36
読み出し速度、GB/s
2,725.2
9.3
書き込み速度、GB/秒
1,336.0
7.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
438
1891
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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