RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
96
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
53
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2333
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link