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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Confronto
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
43
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
42
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1647
2011
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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