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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
43
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
2011
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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