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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
96
Intorno -146% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
39
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2419
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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