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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
96
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
32
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3372
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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