RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
96
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3372
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link