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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
14.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2354
2987
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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