RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2987
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link