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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
28
Velocità di lettura, GB/s
10.9
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1853
3660
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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