RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
3660
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link