RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link