RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
1,703.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,817.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,703.8
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
628
2339
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB Сравнения RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link