RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,703.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,817.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,703.8
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
628
2339
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link