RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3204
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link