RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3204
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link