RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3157
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link