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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
28
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
2361
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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