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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 28
    左右 11% 更低的延时
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB 需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 8.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 2361

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
内存RAM
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
内存RAM
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
内存RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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