RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
71
Intorno 65% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
71
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
1902
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link