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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
12.5
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2068
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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